特許

J-GLOBAL ID：200903067324304625

単結晶の製造方法および単結晶製造装置並びにそれに用いる原料収納容器

発明者： 川中 岳穂 ,  岡田 広 ,  坂下 由彦 ,  上原 一浩 ,  大元 誠一郎
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-286700
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 ZnSe単結晶等をルツボ内の原料融液から成長させる場合、冷却中の相転移に起因する双晶欠陥が発生して良質の単結晶が得られない。【解決手段】 ルツボ20内でZnSe原料を溶解した融液から単結晶を成長させた後、成長結晶25をルツボ20の壁面との接触がない状態として、成長結晶25の下端側から上端側に温度勾配を設けて1409°C±5°Cの相転移温度領域を通過させ冷却する。これにより、相転移温度領域通過時におけるルツボ20内面との接触部で生じる不均一核発生が抑制され、かつ、相転移領域が一定方向に拡大し、この結果、双晶欠陥が低減された良質の単結晶を得ることができる。

請求項（抜粋）：

原料収納容器内で単結晶を成長させた後、成長結晶を上記原料収納容器の壁面との接触がない状態として、成長結晶の一端側から他端側に温度勾配を設けて相転移温度領域を通過させ冷却することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 33/00 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/368 ,  H01S 3/18

FI (6件)：

C30B 33/00 ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 11/00 C ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/368 Z ,  H01S 3/18