特許

J-GLOBAL ID：200903067325368520

薄膜ガスセンサー及びその製造方法

発明者： 国元 晃
出願人/特許権者： 株式会社リケン
代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-351119
公開番号（公開出願番号）：特開平7-198651
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月01日
要約：

【要約】【目的】 製造が容易で、かつ製品特性のばらつきが少なく、またアルコール感度のみでなく、水素感度をも向上させた薄膜ガスセンサーを提供する。【構成】 電気絶縁性基板1と、前記基板1の一方の面上に設けられた一対の電極2a、2bと、前記電極を覆うように形成されたSnO2 ガス感応膜3と、前記基板の電極及びガス感応膜と電気的に絶縁されて設けられたヒーター4とを有し、前記SnO2 ガス感応膜中に、(a)Sc、Y、La、Alのいずれか一種類以上の元素と、(b)Pt、Pd、Rh、Ir、Au、Agのいずれか一種類以上の元素とが、実質的に均一に分散添加されている薄膜ガスセンサーである。

請求項（抜粋）：

電気絶縁性基板と、前記基板の一方の面上に設けられた一対の電極と、前記電極を覆うように形成されたSnO2 ガス感応膜と、前記基板上に電極及びガス感応膜と電気的に絶縁されて設けられたヒーターとを有する薄膜ガスセンサーにおいて、前記SnO2 ガス感応膜中に、(a)Sc、Y、La、Alのいずれか一種類以上の元素と、(b)Pt、Pd、Rh、Ir、Au、Agのいずれか一種類以上の元素とが、実質的に均一に分散添加されていることを特徴とする薄膜ガスセンサー。