半導体薄膜の成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106508
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299780
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】下地となる半導体層のキャリャ濃度を初期の設計値を維持して半導体薄膜を成長させる。【構成】 p型のドーパントとしてZnやMgをドーピングした半導体薄膜にエッチング、その他の加工を施した後、その上に半導体薄膜を再成長させる際、再成長を開始する温度に基板温度を昇温させる工程中に、p型ドーパントの金属の有機金属化合物を基板上に供給する。【効果】下地となる半導体薄膜のキャリャ濃度の変化を抑制できる。p型層のキャリャ濃度の低下を抑制できるので、素子が高温動作する場合に活性層からp型層にオーバフローするキャリャが少なくなり、高温動作特性に優れたレーザがえられる

請求項（抜粋）：

p型ドーパントをドーピングした半導体薄膜にエッチング、その他の加工を施した後、その上に半導体薄膜を再成長させる半導体薄膜の成長方法において、上記再成長を開始する温度に基板温度を昇温させる工程中に、p型のドーピングとして用いた金属の有機金属化合物の気体を基板上に供給することを特徴とする半導体薄膜の成長方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭63-166285
特開平1-286486
特開平2-022879

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