特許

J-GLOBAL ID：200903067336293777

エレクトロルミネッセンス素子

発明者： 松山 博圭 ,  吉田 一男
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231589
公開番号（公開出願番号）：特開平7-085971
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【構成】 発光層がII族元素とVIb族元素からなる化合物であって、かつ岩塩型構造をとる母材に付活剤を添加したものからなり、上記発光層のX線回折における(220)面の半値幅が0.15度より大きく0.4度以下または(200)面の半値幅が0.11度より大きく0.3度以下であり、かつ上記発光層の格子定数が、母材物質の結晶粉末の格子定数の99%以上100.5%未満である薄膜エレクトロルミネッセンス素子。【効果】 高輝度に発光し、かつ急峻な輝度-電圧特性を示すEL素子を作製できる。

請求項（抜粋）：

II族元素とVIb族元素(但し、酸素を除く。)からなる化合物であって、かつ岩塩型構造をとる母材に付活剤を添加した発光層を有する薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、上記発光層のX線回折における(220)面の半値幅が0.15度より大きく0.4度以下または(200)面の半値幅が0.11度より大きく0.3度以下であり、かつ上記発光層の格子定数が、母材物質の結晶粉末の格子定数の99%以上100.5%未満であること特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子。

IPC (3件)：

H05B 33/14 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/56 CPC