銅配線構造およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-375606
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257979
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。【解決手段】Cu16とバリアメタル12、あるいはCu16とキャップ層19との界面近傍に、不純物15を固溶させる、不純物15を析出させる、非晶質Cu14を存在させるまたはCuとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Cuのエレクトロマイグレーション(EM)に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。

請求項（抜粋）：

配線用の溝の上に形成されたバリアメタル層と、前記バリアメタル層上に形成された配線用のCuまたはCu合金層と、前記CuまたはCu合金層と前記バリアメタル層との第1の界面にできる空孔を減らすために、前記第1の界面に析出している前記Cu中に添加された空孔低減不純物とを備えることを特徴とする銅配線構造。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/288 E , H01L 21/88 M , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A

Fターム (66件)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD56 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 4M104HH09 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033LL02 , 5F033LL08 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ03 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ62 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033SS08 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX14 , 5F033XX19 , 5F033XX24

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-242961 出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-097948 出願人：富士通株式会社
金属シ-ド層を挿入する構造の銅の相互接続
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-117513 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
電子構造内に銅の導電体を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-343165 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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