特許

J-GLOBAL ID：200903067338544823

エッチング方法

発明者： 金原 滋
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076638
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274078
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 側壁保護膜の付着量が異なる2工程のエッチングを行なうことにより、高精度に成形できかつばらつきの少ないゲート電極を得ることができるエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置におけるゲート電極のエッチング方法において、ゲート電極に側壁保護膜が形成されやすい条件でエッチングを行なう第1のエッチング工程と、ゲート電極に側壁保護膜が形成されにくい条件でエッチングを行なう第2のエッチング工程と含み、側壁保護膜の形成されやすさが異なる2段階のエッチングを行なうことにより、ゲート電極のテーパー形状化を防ぎ、かつゲート電極のサイドエッチ量を低減させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体装置におけるゲート電極のエッチング方法において、前記ゲート電極に側壁保護膜が形成されやすい条件でエッチングを行なう第1のエッチング工程と、前記ゲート電極に側壁保護膜が形成されにくい条件でエッチングを行なう第2のエッチング工程と含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/28 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 29/78 301 G