半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380491
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179005
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】本発明はウェハ上に形成された複数の半導体素子を個別の半導体素子に分離するための半導体素子分離方法及び半導体素子分離装置に関し、バックグラインディングにより生じたウェハのクラックを効率的に除去し実装後の信頼性を大幅に向上させることを課題とする。【解決手段】複数の半導体素子12が形成されたウェハ2を個々の半導体素子12に分離する半導体素子分離方法であって、回路が形成されたウェハ2の表面2a側からダイシングライン7をエッチングすることによりハーフカット3を形成するエッチング工程と、ウェハ2の表面2a側にバックグラインドテープ4を貼着すると共にウェハ2の裏面2bをハーフカット3と連通しないよう残部5を残し所定の厚さだけ機械的に研磨する研磨工程と、ウェハ2の裏面2b側からエッチングまたは化学的機械的研磨を施すことによりウェハ2を個々の半導体素子12に分離する分離工程とを有する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子が形成されたウェハを個々の半導体素子に分離する半導体素子分離方法であって、回路が形成された前記ウェハの表面側から、前記半導体素子を分離する分離位置をエッチングすることによりハーフカットを形成するエッチング工程と、前記ウェハの表面側にテープ材を貼着した後、前記ウェハの裏面を前記ハーフカットと連通しないよう残部を残し所定の厚さだけ機械的に研磨する研磨工程と、前記ウェハの裏面側からエッチングまたは化学的機械的研磨を施すことにより、前記ウェハを個々の半導体素子に分離する分離工程と、を有することを特徴とする半導体素子分離方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/78 Q , H01L 21/302 A , H01L 21/78 S

Fターム (4件)：

5F004BA03 , 5F004BB24 , 5F004BC08 , 5F004BD07

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-297056
特開平4-297056
ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-207793 出願人：株式会社東芝

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