特許

J-GLOBAL ID：200903067347706291

光電変換装置

発明者： 山下 雄一郎 ,  小泉 徹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-004729
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196572
出願日： 2000年01月13日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 光電変換部に隣接する電荷転送手段での発生を抑制し、光電変換部での暗時電流の低減又は抑制する。【解決手段】 少なくとも、光励起によって電荷を発生させ該電荷を蓄積する光電変換部201と、光電変換部と隣接する電荷転送手段202とを有し、電荷転送手段が、p形の伝導形の半導体基体401と、半導体基体上に設けられた絶縁膜403と、絶縁膜上に設けられた導電体402とからなる光電変換装置において、導電体402の仕事関数の値が、少なくとも半導体基体と同一材料の半導体の真性多結晶半導体のもつ仕事関数の値以上又は以下である。

請求項（抜粋）：

少なくとも、光励起によって電荷を発生させ該電荷を蓄積する光電変換部と、該光電変換部と隣接する電荷転送手段とを有し、前記電荷転送手段が、p形の伝導形の半導体基体と、該半導体基体上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた導電体とからなる光電変換装置において、前記導電体の仕事関数の値が、少なくとも前記半導体基体と同一材料の半導体の真性多結晶半導体のもつ仕事関数の値以上であることを特徴とする光電変換装置。

Fターム (10件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DA18 ,  4M118DA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33