特許

J-GLOBAL ID：200903067348127023

堆積膜形成装置

発明者： 橋爪 淳一郎 ,  植田 重教 ,  土田 伸史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055997
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250439
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 周波数20MHzから450MHzの高周波電力を印加することによりグロー放電を生じさせるプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、軸方向の膜厚ムラを低減し、かつ堆積膜の特性ムラを改善することを目的とする。【構成】 円筒状基体の母線方向の片方の端は該円筒状基体を回転せしめる回転軸により接地し、他端は非接触で接地する手段を設けたことを特徴とし、該非接触で接地する手段が円筒状基体又は円筒状基体を取りつけた補助基体と隣接して設置されたアース電極との間でコンデンサを形成し、このときの該コンデンサの容量C(ファラッド)が高周波電力の周波数をf(ヘルツ)、前記回転軸のインダクタンスをL(ヘンリー)とした時、0.1(4π2 ν2 L)-1≦C≦10(4π2 ν2 L)-1を満たすことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気手段と原料ガス供給手段を備えた真空気密可能な堆積室内に基体加熱ヒーターを固定し、該基体加熱ヒーターを外包するように、一方の放電電極を兼ねた円筒状基体又は補助基体を取りつけた円筒状基体を回転可能に設置し、別に設けられたカソード電極の間に周波数20MHzから450MHzの高周波電力を印加することによりグロー放電を生じさせ、このグロー放電により堆積室内に導入された原料ガスからシリコンを含む固体を前記円筒状基体上に堆積させて膜を形成するプラズマCVD法による堆積膜形成装置において、前記円筒状基体の母線方向の片方の端は該円筒状基体を回転せしめる回転軸により接地し、他端は非接触で接地する非接触接地手段を設けたことを特徴とする堆積膜形成装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0248

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/08 G