特許

J-GLOBAL ID：200903067351978735

非ベンゼノイド炭素系材料の製造法

発明者： 橋詰 賢一 ,  金子 友彦 ,  大谷 杉郎
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  橋詰 賢一
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238575
公開番号（公開出願番号）：特開平7-089706
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【構成】 非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を電解重合し、次いで熱処理する。この方法によって炭素層面間隔d(002) 3.8Å以上の炭素系材料を得る。【効果】 二次電池電極材料、触媒等のホスト材料として有用な、面間隔の大きな炭素材が実現される。

請求項（抜粋）：

非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物を電解重合し、次いで生成した重合化合物を熱処理することを特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 101 ,  C08G 61/02 NLF ,  C25B 3/10 ,  H01M 4/02