金属研磨組成物、それを用いた研磨方法及びそれを用いた基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿沼伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-166435
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014813
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】金属膜を平坦性を維持したまま高速に研磨できる金属研磨組成物を提供すると共にこの金属研磨組成物を用いた金属膜の研磨方法、およびこの金属研磨組成物で平坦化する工程を含む基板の製造方法を提供する。【解決手段】シッフベースを含有する水溶液からなる金属研磨組成物を用い、基板上の金属膜を研磨し平坦化することにより、基板を製造する。シッフベースとしては、下記一般式(1) (式中Aはヘテロ原子またはヘテロ原子グループを示し、R1、R2、R3、R4はそれぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基(R1、R2は2つが連結し環を形成してもよい。)、シアノ基、水酸基、アルコキシル基、アシル基、ホルミル基、カルボキシル基またはシリル基を表す。)で表される化合物が挙げられる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

金属研磨組成物において、シッフベースを含有する水溶液からなることを特徴とする金属研磨組成物。

IPC (4件)：

H01L21/304 , B24B37/00 , B24B57/02 , C09K3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , B24B57/02 , C09K3/14 550D , C09K3/14 550Z

Fターム (8件)：

3C047FF08 , 3C047GG20 , 3C058AA07 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA13 , 3C058DA17

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