特許

J-GLOBAL ID：200903067357416631

半導体装置の製造方法

発明者： 荒木 光好
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237110
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055130
出願日： 1991年08月25日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 多結晶シリコン膜あるいはタングステンシリサイド等のシリコンを含有する膜に対するパターニングのための露光の際に光線が反射するのを少なくする。【構成】 多結晶シリコン等からなる膜の表面に、窒化膜例えばSiNからなる反射防止膜を形成してレジスト膜に対する露光をする。

請求項（抜粋）：

シリコン膜又はシリコンを含有した膜の表面に窒化膜を形成し、上記窒化膜上にレジスト膜を塗布し、上記レジスト膜に対して露光することを特徴とする半導体装置の製造方法

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/283

FI (2件)：

H01L 21/30 361 A ,  H01L 21/30 361 T