特許

J-GLOBAL ID：200903067358439368

半導体素子製造装置

発明者： 安江 信也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 大島 泰甫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270861
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111630
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 液体の不純物を拡散源として用いて半導体素子を製造する場合に適用され、シリコンウエハの汚染を防止できる配管系を備えた半導体素子製造装置を提供する。【解決手段】 キャリアガス供給源からキャリアガスを容器9に導く第1の配管路41と、キャリアガスのバブリングにより蒸気にされた不純物をキャリアガスとともに熱処理炉17に導く第2の配管路42と、第2の配管路42に接続され不純物の濃度を希釈するためおよびウエハを酸化するための雰囲気ガスを供給する第3の配管路43とを設ける。第2の配管路42の熱処理炉17側の一端を容器9側の他端より高く配置する。

請求項（抜粋）：

液体の不純物を収容する容器と、前記不純物をウエハに拡散するための処理室と、キャリアガス供給源からキャリアガスを前記容器に導く第1の配管路と、前記キャリアガスのバブリングにより蒸気にされた前記不純物を前記キャリアガスとともに前記処理室に導く第2の配管路とを備えた半導体素子製造装置において、前記第2の配管路は、前記処理室側の一端が前記容器側の他端より高く配置されたことを特徴とする半導体素子製造装置。