半導体素子の良品判別方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉内義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-288144
公開番号（公開出願番号）：特開平8-147369
出願日： 1994年11月22日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】半導体素子の良否の判別の精度を高める。【構成】ロットに属する全素子の所定検査項目を測定し、素子と1対1に対応付けて測定値をメモリに記憶し(S4)、各検査項目について、メモリに記憶された測定値から所定の統計値を演算し(S8)、予め設定された判別の基準値と統計値とから、素子の良否の基準を示す判別基準値を演算し(S9)、メモリに記憶された測定値と判別基準値とを照合することによって、測定値に対応付けられた素子の良否の判別を行う(S10)。

請求項（抜粋）：

半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法において、単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目の測定を行い、前記検査項目の測定値を、前記測定の対象となった前記半導体素子の各々と1対1に対応付けてメモリに記憶し、前記検査項目のそれぞれについて、前記メモリに記憶された前記測定値に基づいて所定の統計値を演算し、予め設定された判別の基準値と前記統計値とから、前記半導体素子の良否の基準を示す判別基準値を演算し、前記メモリに記憶された前記測定値と前記判別基準値とを照合することによって、前記測定値に対応付けられた前記半導体素子の良否の判別を行うことを特徴とする半導体素子の良品判別方法。

IPC (3件)：

G06F 17/60 , G01R 31/26 , H01L 21/66

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平3-052247
特開昭63-087735
特開昭60-046044

審査官引用 (3件)

特開平3-052247
特開昭63-087735
特開昭60-046044

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