特許

J-GLOBAL ID：200903067366241941

レチノールの製造方法

発明者： 高橋 寿也 ,  木村 和峰 ,  世古 信三
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-263142
公開番号（公開出願番号）：特開2002-193917
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】 レチノールの製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式(2)(式中、Arおよび波線は前記と同じ意味を表す。)で示されるアリルスルホン誘導体と一般式(3)一般式(3)(式中、Xはハロゲン原子、Rは水酸基の保護基を示し、波線は前記と同じ意味を表す。)で示されるアリルハライド誘導体とを塩基類の存在下、反応させ、得られる一般式(1)で示されるジスルホン誘導体と塩基性化合物と反応させることを特徴とするレチノールの製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)(式中、Arは置換基を有していてもよいアリール基、R1は水素原子または水酸基の保護基を示し、波線は、その結合する二重結合の立体がE体もしくはZ体もしくはE/Zの混合物を表す。)で示されるジスルホン誘導体を塩基性化合物と反応させることを特徴とするレチノールの製造方法。

IPC (2件)：

C07C315/04 ,  C07C403/00

FI (2件)：

C07C315/04 ,  C07C403/00

Fターム (12件)：

4H006AA02 ,  4H006AC24 ,  4H006BA02 ,  4H006BA03 ,  4H006BA25 ,  4H006BA28 ,  4H006BA32 ,  4H006BA34 ,  4H006BA48 ,  4H006BA51 ,  4H006TA02 ,  4H006UC00