特許
J-GLOBAL ID：200903067375476234
液晶表示装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-260358
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122819
出願日： 1994年10月25日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】TFTアレイを用いた液晶表示装置及びその製造方法において、写真製版の回数を減らして、製造コストを低減する。【構成】本発明は、透明絶縁基板1上に、ゲート電極2および電荷保持容量電極9、ゲート絶縁膜3、アモルファスシリコンi層4、画素電極10、コンタクトホール15が形成され、コンタクトホール15の外側がアモルファスシリコンi層4の端部上面に位置する上部保護膜5、コンタクトホール15を介してアモルファスシリコンi層4と接するアモルファスシリコンn+層6、アモルファスシリコンn+層6上に形成されたソース電極7、画素電極10とアモルファスシリコンn+層6とを電気的に接続するようにアモルファスシリコンn+層6上に形成されたドレイン電極8を備えた構成である。
請求項（抜粋）：
透明絶縁基板、この透明絶縁基板上に形成されたゲート電極線および電荷保持容量電極、これらゲート電極線および電荷保持容量電極を覆うゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上のゲート電極線上方に形成されたアモルファスシリコンi層、上記ゲート絶縁膜上の電荷保持容量電極上方に形成された画素電極、ソース領域とドレイン領域からなるコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールの外側が上記アモルファスシリコンi層の両端上面に位置するように形成された上部保護膜、上記コンタクトホールを介してソースおよびドレイン領域が形成されたアモルファスシリコンn+層,上記ソース領域のアモルファスシリコンn+層に接するように形成されたソース電極線、上記ドレイン領域のアモルファスシリコンn+層に接するように形成され、上記アモルファスシリコンn+層と上記画素電極とを電気的に接続するドレイン電極を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
