半導体装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-066153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264761
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】最小雑音指数NFminを低下させ、低雑音性能を高める。【構成】半絶縁性GaAs基板1上に真性GaAs層2、真性InGaAs層3、真性AlGaAs層4、およびn型AlGaAs層5を順次積層させた。InGaAs層3の、AlGaAs層4との界面に沿った領域には二次元電子ガス6が形成される。AlGaAs層5上にn型GaAs層7を形成し、この層7にリセス10を設け、さらにリセス底部にショットキーゲート電極9を設けて、AlGaAs層5とショットキー接合を形成させた。この電極9上部はショットキー接合部よりも幅が広く、SiO2層11と電極9の上部によってリセス10内を外部と隔離させる。さらに、ゲート電極9の上部が大きな断面積を持つことでゲート抵抗が低減され、最小雑音指数NFminが低減できた。

請求項（抜粋）：

窪みを設けた基板と、前記窪み底面において前記基板に接合された電極とを有し、前記電極が前記窪みの開口部を塞ぎ、かつ、前記窪み内面と前記電極との間に空間を形成してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-194475
特開平2-140942
特開昭62-037973

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