特許

J-GLOBAL ID：200903067378218473

半導体パッケージ用チップ支持基板の製造方法及び半導体パッケージ

発明者： 阿波野 康彦 ,  井上 文男 ,  大畑 洋人 ,  坪松 良明
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149846
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340695
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 リフロー時に発生する材料の残存揮発分のガスや水蒸気を外部へ放出し、リフロー時に接続信頼性を向上させることができ、生産性の高い半導体パッケージを提供する。【解決手段】(1)絶縁性支持基板の一表面に複数の配線が形成され、前記配線は少なくとも半導体チップ電極と接続するインナー接続部及び半導体チップ搭載領域部を有し、インナー接続部と導通するアウター接続部が設けられる箇所に開口を設け、半導体チップ搭載領域内における配線相互間に、少なくとも1個の貫通穴を設けた基板を準備する工程、(2)前記絶縁性支持基板の前記半導体チップ搭載領域内における前記配線相互間及び半導体チップが搭載される箇所に第一の絶縁性材料を塗布する工程、(3)前記第一の絶縁性材料の上面に第二の絶縁性材料を塗布する工程、(4)前記貫通穴を利用して前記第一の絶縁性材料を除去する工程。

請求項（抜粋）：

絶縁性支持基板の一表面には複数の配線が形成されており、前記配線は少なくとも半導体チップ電極と接続するインナー接続部及び半導体チップ搭載領域部を有し、前記絶縁性支持基板の前記配線が形成されている箇所で前記インナー接続部と導通するアウター接続部が設けられる箇所に、開口が設けられており、前記絶縁性支持基板の前記半導体チップ搭載領域内における前記配線相互間に、少なくとも1個の貫通穴が設けられている基板を準備する工程、前記絶縁性支持基板の前記半導体チップ搭載領域内における前記配線相互間及び半導体チップが搭載される箇所に第一の絶縁性材料を塗布する工程、前記第一の絶縁性材料の上面に第二の絶縁性材料を塗布する工程、前記貫通穴を利用して前記第一の絶縁性材料を除去する工程を有することを特徴とする半導体パッケージ用チップ支持基板の製造方法。