特許

J-GLOBAL ID：200903067378550958

バンプ電極の接合方法

発明者： 小柏 俊典 ,  秋元 英行 ,  執行 裕之
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306330
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144872
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 接合のための工程を簡素にし、かつ多ピンであっても低荷重で接合可能にするとともに、バンプ電極の接合を確実にして信頼性の高い実装方法を提供すること。【構成】 半導体チップのAlパッド上にSn基合金からなるバンプ電極を配設し、基板またはテープキャリアのリード線に前記バンプ電極を接合させるバンプ電極の接合方法において、前記バンプ電極に先尖り略円錐状の突起部を形成するとともに、リード線にはバンプ電極より低融点の下地金属層を形成し、前記基板またはテープキャリアを加熱して下地金属層が溶融した状態でバンプ電極を押接し、その突起部を溶融下地金属層に挿入させ融着させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体チップのAlパッド上にSn基合金からなるバンプ電極を配設し、基板またはテープキャリアのリード線に前記バンプ電極を接合させるバンプ電極の接合方法において、前記バンプ電極に先尖り略円錐状の突起部を形成するとともに、リード線にはバンプ電極より低融点の下地金属層を形成し、前記基板またはテープキャリアを加熱して下地金属層が溶融した状態でバンプ電極を押接し、その突起部を溶融下地金属層に挿入させ融着させることを特徴とするバンプ電極の接合方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-113934
  
• 特開平3-166739
  
• 特開昭64-091118
  
• 特開昭64-001248