特許
J-GLOBAL ID:200903067381535889

不揮発性記憶装置およびその制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-109745
公開番号(公開出願番号):特開平9-297659
出願日: 1996年04月30日
公開日(公表日): 1997年11月18日
要約:
【要約】【課題】ハードデイスクドライブと半導体ディスクドライブとを統合して、低価格、高信頼性、高性能の不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】統合ドライブユニット7は単一のドライブ番号が割り当てられる1つのドライブユニットであり、半導体ディスクドライブとして使用されるフラッシュメモリ6の記憶領域は統合ドライブユニット7の全記憶領域の中の一部である第1記憶領域として用いられ、残りの第2記憶領域は、フラッシュメモリ6よりも大きな記憶容量を有しているハードデイスクドライブ5の記憶領域が用いられる。したがって、これらハードデイスクドライブ5およびフラッシュメモリ6は、1つの統合ドライブユニット7内の異なる記憶領域として扱われるので、CPU1は単一のドライブ番号でハードデイスクドライブ5の記憶領域とフラッシュメモリ6の記憶領域を選択的にアクセスすることができる。
請求項(抜粋):
単一のドライブ番号が割り当てられ、そのドライブ番号によって指定される不揮発性記憶装置において、前記不揮発性記憶装置の全記憶領域内の第1記憶領域が割り当てられ、電気的にデータの消去および書き込みが可能な不揮発性半導体記憶装置から構成される半導体ディスク装置と、前記不揮発性記憶装置の全記憶領域内における前記第1記憶領域以外の他の第2記憶領域が割り当てられた磁気ディスク装置とを具備し、単一のドライブ番号で前記第1記憶領域と前記第2記憶領域を選択的にアクセスできるように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件):
G06F 3/06 301 ,  G06F 3/06
FI (3件):
G06F 3/06 301 A ,  G06F 3/06 301 J ,  G06F 3/06 301 X
引用特許:
審査官引用 (3件)

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