特許
J-GLOBAL ID:200903067381683870
アンモニアの精製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-228289
公開番号(公開出願番号):特開2002-037624
出願日: 2000年07月28日
公開日(公表日): 2002年02月06日
要約:
【要約】【課題】 工業用として市販されている粗アンモニアまたは窒化ガリウム系化合物半導体プロセスから回収された粗アンモニアから、窒化ガリウム系化合物半導体の原料として用いることが可能なアンモニアを容易に得ることができるアンモニアの精製方法を提供する。【解決手段】 工業用として市販されている粗アンモニアまたは窒化ガリウム系化合物半導体プロセスから回収された粗アンモニアを、酸化マンガンまたはニッケルを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が4〜10Å相当の合成ゼオライトと接触させて、粗アンモニアに不純物として含まれる酸素、二酸化炭素、水を除去する。
請求項(抜粋):
窒化ガリウム系化合物半導体の原料として用いられるアンモニアの精製方法であって、工業用として市販されている粗アンモニアを、酸化マンガンを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が4〜10Å相当の合成ゼオライトと接触させて、該粗アンモニアに含まれる酸素、二酸化炭素、及び水から選ばれる一種以上の不純物を除去することを特徴とするアンモニアの精製方法。
IPC (5件):
C01C 1/02
, B01D 53/02
, B01J 23/32
, B01J 23/755
, B01J 29/06
FI (5件):
C01C 1/02 E
, B01D 53/02 Z
, B01J 23/32 M
, B01J 29/06 M
, B01J 23/74 321 M
Fターム (30件):
4D012BA02
, 4D012CA01
, 4D012CA03
, 4D012CA20
, 4D012CB13
, 4D012CB16
, 4D012CD04
, 4D012CD07
, 4D012CE03
, 4D012CG01
, 4D012CG05
, 4D012CH05
, 4G069AA02
, 4G069BA07A
, 4G069BA07B
, 4G069BB02A
, 4G069BB02B
, 4G069BB04A
, 4G069BB04B
, 4G069BC62A
, 4G069BC62B
, 4G069BC68A
, 4G069CB82
, 4G069DA06
, 4G069EA02Y
, 4G069EC02X
, 4G069EC03X
, 4G069EC03Y
, 4G069EC11X
, 4G069EC12X
引用特許:
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