半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249957
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103800
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】潜在的欠陥を内包するメモリセルをスクリーニング技術により除去すると共にメモリセルのしきい値の分布データ収集を行う。【構成】書込み時には信号WRITEをHレベルとし、書込み回路14からバス線20に所定の電圧を印加、同時にコラムデコーダ12とロウデコーダ13でアドレス信号をデコードし、ビット線BLjとワード線WLiを選択、所定の電圧を印加する。消去回路17はソース配線19にOVを印加する。消去時には信号ERASEをHレベルとし、消去回路17からソース配線19を介して全メモリセルMi,jのソース電極Sに印加と共にコラム及びロウアドレスバッファ10,11の出力をHレベルとしビット、ワード線を非選択状態にする。読み出し時にはメモリセルのデータを検出するがロウデコーダのパッド13aの電圧を変えることにより「通常の読み出しモード」と「試験用の読み出しモード」の何れかで動作させることができる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート、コントロールゲート、ソース電極及びドレイン電極を有する多数のメモリセルをマトリクス状に配列し、各メモリセルのコントロールゲートを行単位でワード線に接続するとともに、各メモリセルのドレイン電極を列単位でビット線に接続し、かつ、全てのメモリセルのソース電極を共通のソース配線に接続して構成する半導体記憶装置であって、全てのメモリセルのデータを消去する場合は、前記ソース配線の電位を所定の高電位に設定する一方、任意のメモリセルにデータを書込む場合、又は、任意のメモリセルからデータを読み出す場合は、該任意のメモリセルに接続するワード線とビット線の電位をそれぞれ所定電位に設定する半導体記憶装置において、前記ワード線に与える読み出し時の電位を任意に変え得る電位変更手段と、前記メモリセルからの読み出しデータの論理を判定する基準値を変え得る基準値変更手段と、を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 303 , G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-162296
特開昭61-172300
特開昭61-222093

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