特許

J-GLOBAL ID：200903067390415217

活性エネルギー線硬化型導電性ペースト、それを用いた導体回路および非接触ID

発明者： 中村 稔 ,  鶴田 洋明
出願人/特許権者： 東洋インキ製造株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266389
公開番号（公開出願番号）：特開2002-072468
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月12日
要約：

【要約】【課題】耐熱性が乏しい基材にも使用することが可能で、硬化に要する時間が非常に短く、初期導電性、成膜時の接着性に優れ、高い硬度および機械的な強度を有する硬化皮膜の形成が可能であり、非接触IDの回路の製造に好適な導電ペーストの提供。【解決手段】導電性物質と活性エネルギー線重合性化合物とを含有する導電性ペーストであって、前記導電性ペーストから導電性物質を除いた組成物を加速電圧175kV、吸収線量40kGyの電子線で硬化させたときの硬化物のガラス転移点が0〜200°Cである活性エネルギー線硬化型導電性ペースト、基材上に前記導電性ペーストを用いて回路パターンを形成し、活性エネルギー線を照射する導体回路の製造方法、および前記方法で製造された導体回路およびICモジュールを基板上に積載した非接触ID。

請求項（抜粋）：

導電性物質と活性エネルギー線重合性化合物とを含有する導電性ペーストであって、前記導電性ペーストから導電性物質を除いた組成物を加速電圧175kV、吸収線量40kGyの電子線で硬化させたときの硬化物のガラス転移点が0〜200°Cであることを特徴とする活性エネルギー線硬化型導電性ペースト。

IPC (9件)：

G03F 7/027 502 ,  C08F 2/44 ,  C08F 2/46 ,  G03F 7/26 501 ,  H01B 1/20 ,  H01B 1/22 ,  H01B 1/24 ,  H05K 3/12 610 ,  H05K 3/38

FI (9件)：

G03F 7/027 502 ,  C08F 2/44 A ,  C08F 2/46 ,  G03F 7/26 501 ,  H01B 1/20 A ,  H01B 1/22 A ,  H01B 1/24 A ,  H05K 3/12 610 B ,  H05K 3/38 B

Fターム (66件)：

2H025AA00 ,  2H025AA13 ,  2H025AA14 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025BC14 ,  2H025BC23 ,  2H025BC32 ,  2H025BC42 ,  2H025BJ09 ,  2H025CC09 ,  2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096AA26 ,  2H096AA27 ,  2H096BA05 ,  2H096BA20 ,  2H096EA06 ,  2H096LA17 ,  4J011PA03 ,  4J011PA04 ,  4J011PB27 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  4J011QA03 ,  4J011QA12 ,  4J011QA13 ,  4J011QA22 ,  4J011QA23 ,  4J011QA24 ,  4J011QB19 ,  4J011QB24 ,  4J011UA03 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  5E343AA14 ,  5E343AA16 ,  5E343AA17 ,  5E343BB14 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB28 ,  5E343BB33 ,  5E343BB38 ,  5E343BB39 ,  5E343BB40 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343BB49 ,  5E343BB53 ,  5E343BB55 ,  5E343BB59 ,  5E343BB72 ,  5E343BB74 ,  5E343BB77 ,  5E343DD02 ,  5E343DD03 ,  5E343EE42 ,  5E343GG02 ,  5G301DA03 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01