半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-113447
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274330
出願日： 1995年05月11日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【構成】同一のMISFETのチャネル領域に第1のゲート電圧でチャネル表面が反転する領域と第2のゲート電圧でチャネル表面が反転する領域とを平面的に構成要素として設ける。例えばP型半導体基板上のN型MOSFETのチャネル領域をP型半導体基板の表面濃度で決まる第1の不純物濃度のチャネル領域104と不純物導入用マスクのパターン106によって選択された領域に不純物をイオン打ち込み等で導入する事によって決まる第2の不純物濃度のチャネル領域105を設ける。さらに第1の不純物濃度のチャネル領域104と第2の不純物濃度のチャネル領域105は複数の平面的形状に分割する。【効果】上記の様に同一のMOSFETのチャネル領域を複数の不純物濃度の複数の平面的形状の領域で構成し、さらに第1の不純物濃度の領域と第2の不純物濃度の領域の平面的な面積比に応じてMOSFETのしきい値電圧を所望の値に容易に設定する事ができ、低コストでより高性能な半導体集積回路装置を実現する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板に絶縁層を有し、該絶縁層に接してゲート電極を有し、該ゲート電極の下の第1導電型半導体基板表面は、少なくとも第1のゲート電圧で表面が第2導電型に反転する領域(第1反転電圧領域)と第2のゲート電圧で表面が第2導電型に反転する領域(第2反転電圧領域)とが平面的に構成されるMIS型要素であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/43

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/62 G

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平3-218070
特開平3-218071
特開昭56-042374

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