半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-391468
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261015
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコン薄膜トランジスタのシリコン薄膜の粒径を多きくして、高い電界効果移動度等を有する半導体素子を得る。【解決手段】透明絶縁性基板201と接する側の下層絶縁膜202の熱伝導率がその上に形成する上層絶縁膜203の熱伝導率よりも大きな材料よりなる2層構造の絶縁膜を透明絶縁性基板201上に形成した後、上層絶縁膜203を複数のストライプ状にパターン形成し、その後パターン加工された絶縁膜上に非晶質シリコン薄膜204を形成し、さらに上層絶縁膜203のストライプパターンに平行にレーザ光を走査照射して、非晶質シリコン薄膜204を多結晶シリコン薄膜210にする。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1の熱伝導率を有する第1の絶縁膜と、上記第1の熱伝導率と異なる第2の熱伝導率を有し、部分的な領域に選択的に形成された第2の絶縁膜とを積層する工程と、上記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜上に非単結晶半導体薄膜を積層する工程と、上記非単結晶半導体薄膜にエネルギビームを照射して結晶成長させる工程とを有することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G , H01L 31/04 X

Fターム (89件)：

5F051AA03 , 5F051CA14 , 5F051CA32 , 5F051CB21 , 5F051CB25 , 5F051GA03 , 5F052AA02 , 5F052AA03 , 5F052AA04 , 5F052AA18 , 5F052AA24 , 5F052AA25 , 5F052BA07 , 5F052BA12 , 5F052BA14 , 5F052BA15 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DA04 , 5F052DA05 , 5F052DA06 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA01 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052FA02 , 5F052FA04 , 5F052FA06 , 5F052FA25 , 5F052FA26 , 5F052HA06 , 5F052JA01 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB07 , 5F110BB09 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP08 , 5F110PP13 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19 , 5F110QQ25

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