特許
J-GLOBAL ID：200903067397548077
マスクパターンの製造方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056831
公開番号（公開出願番号）：特開平9-222720
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：
【要約】【課題】 補正が必要な部分を限定することにより、補正の所要時間とデータ量の増加、マスク補正のコストを抑える。【解決手段】 補正マスクデータと参照マスクデータを入力し、場合によっては補正マスクパターン又は参照マスクパターンのサイズを修正し、また、さらに場合によっては補正マスクパターン又は参照マスクパターンを反転させる。補正マスクパターンのうち参照マスクパターン又は参照マスクパターンの反転パターンと重なりあう部分を抜き出す。抜き出された部分のパターン面積が一定面積以下であればパターンサイズを修正するリサイズを行ない、抜き出された部分のパターン面積が一定面積より大きければその部分は削除する。その後、サイズが修正された後のパターンをもとの補正マスクパターンに対して合成し、補正が終了したマスクパターンを出力する。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造用のフォトマスクで、互いに重なり部分をもつ2つのマスクのうち、パターンを補正しようとするマスクを補正マスク、他方のマスクを参照マスクとし、補正マスクパターンのうち、参照マスクパターン又は参照マスクパターンの反転パターンと重なりあう部分を抜き出す工程と、その抜き出された部分のうち一定面積以下の部分をリサイズ対象部分としてさらに抜き出す工程と、リサイズ対象部分のパターンのサイズを修正するリサイズ工程と、リサイズ工程におけるサイズ修正後のパターンをもとの補正マスクパターンと合成させる合成工程と、を備えたことを特徴とするマスクパターンの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 D
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 502 W
