特許
J-GLOBAL ID：200903067398412616
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335342
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体基板上に開口した第1の絶縁膜とその開口部側壁部に形成された第3の絶縁膜によるサイドウォール上に所望のゲート電極を形成する工程において、ゲート電極下の絶縁膜をエッチング除去する際に、サイドウォール部絶縁膜を残し、第1の絶縁膜のみを選択的に除去するプロセスを提供する。【構成】 絶縁膜サイドウォールを、第1の絶縁膜2をエッチング除去する際に選択性を有する膜3を下層膜とし、サイドウォール加工、即ち異方性エッチングに適した膜4を上層膜とした2層構造とする。【効果】 第1の絶縁膜をエッチング除去する際の選択性は下層膜により得、サイドウォールの加工制御は上層膜の最適化により各々独立に最適化すればよく、安定度の高いプロセスを実現できる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板に第1の絶縁膜を堆積し、該絶縁膜をエッチングし、開口部を形成する第1の工程と、該開口部に露出した化合物半導体基板を所望の深さまでエッチングする第2の工程と、該基板上に第2の絶縁膜と第3の絶縁膜からなる2層構造の絶縁膜を堆積する第3の工程と、該2層絶縁膜を全面エッチバックすることにより、該開口部に、いわゆるサイドウォールを形成する第4の工程と、全面に電極金属膜を成膜後、該開口部を完全に被う部分以外の該金属膜をエッチング除去する第5の工程と、第2の絶縁膜に対して充分な選択比を持ち、かつ等方的なエッチング方法により、第1の絶縁膜を該基板表面から完全に除去し、ゲート電極を形成する第6の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/302
, H01L 21/316
, H01L 29/50
