特許

J-GLOBAL ID：200903067401893850

配線形成方法

発明者： 西原 利幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-228388
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047935
出願日： 1991年08月13日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】コンタクト孔に対する被り余裕を設けなくてもよく且つボイドが発生しにくい様にして、高密度でしかも信頼性の高い配線を形成する。【構成】コンタクト孔14を多結晶Si層15で埋め、SiO2 層21、13に溝22を形成する。溝22はW層23で埋め、このW層23を上層配線にする。W層23は多結晶Si層15の天面15aのみならず側面でも多結晶Si層15とコンタクトする。このため、W層23に被り余裕を設けず、且つコンタクト孔14に対する溝22の合わせずれが発生しても、コンタクト面積が広く、コンタクト抵抗が低い。一方、溝22内に露出した多結晶Si層15の側面と溝22の内側面との間は、少なくとも溝22の延在方向では広く開放されている。このため、溝22がW層23で完全に埋められ易く、ボイドが発生しにくい。

請求項（抜粋）：

下層側の配線を覆っている第1の絶縁層に前記下層側の配線に対するコンタクト孔を開孔し、前記コンタクト孔を第1の導電体で埋め、前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を堆積させ、上層側の配線と同一パターンの溝を前記第2の絶縁層と前記第1の絶縁層の厚さ方向の一部とに形成して前記第1の導電体の一部を前記溝内に露出させ、前記溝を第2の導電体で埋めてこの第2の導電体を前記上層側の配線にする配線形成方法。