特許
J-GLOBAL ID:200903067402650080

電子部品用セラミックスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-237117
公開番号(公開出願番号):特開平6-087645
出願日: 1992年09月04日
公開日(公表日): 1994年03月29日
要約:
【要約】【目的】 品質を低下させることなく、製造コストを下げる。【構成】 無機塩を主成分とする電子部品用セラミックスの原料を溶媒中で混合する湿式混合工程を含む、電子部品用セラミックスの製造方法において、前記混合工程を、次式【化1】(式中、Zは2〜8個の水酸基を有する化合物の残基、AOは炭素数2〜18のオキシアルキレン基、R1 は炭素数2〜5の不飽和の炭化水素基、R2 は炭素数1〜40の炭化水素基、a=0〜1000、b=0〜1000、c=0〜1000、l=1〜8、m=0〜2、n=0〜7、l+m+n=2〜8、al+bm+cn=1〜1000、m/(1+n)≦1/2を示す。)で表わされる1種以上のポリオキシアルキレン誘導体を、主に無水マレイン酸、マレイン酸及びマレイン酸塩よりなる群の1種以上にて変性した変性体を分散安定剤として前記原料100 重量部に対して0.01重量部以上の割合で混合して行う。
請求項(抜粋):
無機塩を主成分とする電子部品用セラミックスの原料を溶媒中で混合する湿式混合工程を含む、電子部品用セラミックスの製造方法において、前記混合工程を、次式【化1】(式中、Zは2〜8個の水酸基を有する化合物の残基、AOは炭素数2〜18のオキシアルキレン基、R1 は炭素数2〜5の不飽和の炭化水素基、R2 は炭素数1〜40の炭化水素基、a=0〜1000、b=0〜1000、c=0〜1000、l=1〜8、m=0〜2、n=0〜7、l+m+n=2〜8、al+bm+cn=1〜1000、m/(1+n)≦1/2を示す。)で表わされる1種以上のポリオキシアルキレン誘導体を、主に無水マレイン酸、マレイン酸及びマレイン酸塩よりなる群の1種以上にて変性した変性体を分散安定剤として前記原料100 重量部に対して0.01重量部以上の割合で混合して行うことを特徴とする電子部品用セラミックスの製造方法。
IPC (5件):
C04B 35/00 ,  B01F 17/52 ,  B28C 1/02 ,  C04B 35/46 ,  C08L 71/02 LQD

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