特許

J-GLOBAL ID：200903067403618805

有機電界効果トランジスタの製造方法及びその有機電界効果トランジスタ

発明者： 岡田 裕之 ,  中 茂樹 ,  女川 博義
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  国立大学法人富山大学
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-298416
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114581
出願日： 2004年10月13日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

【課題】有機電界効果トランジスタの製造方法において、有機半導体層にダメージを与えることなく、かつ通常のリソグラフィプロセスを行わずに、有機半導体層のパターニングを行うことができる有機電界効果トランジスタの製造方法及びその有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】基板1上にゲート電極2を形成し、その上にゲート絶縁膜3を形成し、このゲート絶縁膜3上に形成された少なくともソース・ドレイン電極8,9間を含む部位に有機半導体層10を積層する有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層10に照射光を部分的に遮るマスクを介して直接光照射を行うことにより、二次元的な有機半導体層のパターン形成を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース・ドレイン電極とゲート電極を有し、少なくとも前記ソース・ドレイン電極間を含む部位に有機半導体層を積層する有機電界効果トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層に照射光を部分的に遮るマスクを介して直接光照射を行うことにより、二次元的な有機半導体層のパターン形成を行うことを特徴とする有機電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/28

Fターム (28件)：

5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• トランジスタおよびそれを用いた表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-369218   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 電界効果型トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-146004   出願人：株式会社日立製作所
• レーザ加工装置およびレーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-047574   出願人：ソニー株式会社
• 液晶表示素子の製造方法および液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-145656   出願人：株式会社日立製作所
• 有機薄膜集積回路の製造方法、及び、電界効果型トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-412154   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ペンタセンチャネルの加工性の検討