特許

J-GLOBAL ID：200903067406443976

像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク

発明者： 吽野 靖行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181167
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 微細パターンを結像する際の解像度を上げる。【構成】 微細スリット列を結像する際、該微細スリット列の奇数番目の微細スリット(21、23、25)からの光と偶数番目の微細スリット(22、24)からの光の偏光面が互いに直交するよう各スリットに偏光膜(121、122、123、124、125)を付ける。

請求項（抜粋）：

微細パターンの像を形成する方法において、暗部を介して隣り合う明部からの光束間の可干渉性を低減させることを特徴とする像形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G02B 3/00 ,  G03F 1/08

FI (3件)：

H01L 21/30 311 L ,  H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W