処理室の清掃方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 産形和央 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-281286
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109492
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 IC製造における金属エッチング方法、および処理室および基板を清掃する方法が開示される。【解決手段】開示される方法によって、処理室の壁に累積したエッチング残滓を清掃するために周期的に行われなければならない従来のウエット・クリーニングの頻度が減少する。一実施形態では、本発明の方法はデチャック工程中に、室の壁および基板上に存在するエッチング残滓と反応し、これを軟化燃焼し、および/または除去する酸素含有ガスを使用する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

デチャック工程中に金属エッチング室を清掃する方法であって、金属材料層を載せた基板を室内に配置する工程と、 Cl2、BCl3、またはCHF3、またはその混合物からなる処理ガスを室内に誘導する工程と、室内にプラズマを発生して、基板から金属をエッチングするエッチング・ガスを処理ガスから生成する工程と、室内に酸素含有ガスを誘導することによってデチャック工程を実施する工程と、を含む方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101H

Fターム (15件)：

5F004AA09 , 5F004AA13 , 5F004BB22 , 5F004BB28 , 5F004CA01 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA16 , 5F004DA26 , 5F004DA27 , 5F004DA28 , 5F004DB09 , 5F004EA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第2003/0022513号
WO01/08209号

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