特許
J-GLOBAL ID：200903067408502244
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333208
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181263
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【構成】 塗布絶縁膜5を含む配線間絶縁膜4,5,7,9の最終層で、塗布絶縁膜5の形成時に生じた突起物ができるシリコンウェハ表面の周辺を除いて、塗布絶縁膜5の主成分と選択比の大きい絶縁膜9、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を堆積させる。この後、フッ酸系エッチング液でシリコンウェハ周辺の突起物を除去する。【効果】 塗布絶縁膜の突起物から生ずるフレーク状の異物の発生を防ぐことができ、半導体装置の歩留及び平坦性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
導電性配線間に、塗布絶縁膜を含む複数の配線間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記配線間絶縁膜の最終層で、且つ前記塗布絶縁膜の主成分と比べて選択比の大きい絶縁膜を、半導体ウェハ上にその周辺部を除いて堆積させる工程と、この絶縁膜の堆積された半導体ウェハをエッチング液に浸漬する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/90
, H01L 21/31
, H01L 21/318
, H01L 21/3205
