特許
J-GLOBAL ID：200903067410248193
球状半導体デバイスとその製造方法と球状半導体デバイス素材
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡村 俊雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1997002993
公開番号（公開出願番号）：WO1999-010935
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月04日
要約：
【要約】球状の芯材1と、芯材1の表面に形成された反射膜2と、反射膜2の表面にほぼ球面状に形成された半導体薄膜層(p型多結晶シリコン薄膜4a、n+拡散層7)と、半導体薄膜層に形成されたn+p接合8と、パッシベーション膜9と、酸化チタン製の表面保護膜10と、n+p接合8の両極に接続された1対の電極11a,11bとを備えた小径の球状太陽電池セルSS(球状半導体デバイス)とその製造方法が開示されている。この球状太陽電池セルSSの他に、球状結晶製造装置、2種類の球状太陽電池セル、2種類の球状光触媒素子、青色の可視光を発する球状発光素子、2種類の球状半導体デバイス素材も開示されている。
請求項（抜粋）：
球状の芯材と、この芯材の表面上又はその外側近傍部にほぼ球面状に形成された半導体薄膜層と、この半導体薄膜層に形成された少なくとも1つのpn接合と、このpn接合の両極に接続された1対の電極とを備えたことを特徴とする球状半導体デバイス。
IPC (2件)：
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