特許

J-GLOBAL ID：200903067411269151

半導体製造装置

発明者： 名取 巌 ,  玉井 高広 ,  長谷部 有弘
出願人/特許権者： 日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270937
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139070
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 金属汚染を低減できるアッシング装置を提供する。【構成】 反応性ガスのプラズマを発生させて下部電極9に保持された半導体ウエハ1に灰化処理を施すアッシング装置であり、プラズマを発生させるプラズマ発生室3とプラズマ中のラジカルを導入して半導体ウエハ1上のレジストをアッシングするダウンフロー室8とを分離するスリット板12がシリコンで形成されているものである。これによれば、真空容器2内の雰囲気が金属原子によって汚染されることがないので、ダメージの少ないアッシング処理が可能になる。

請求項（抜粋）：

反応性ガスのプラズマを発生させて下部電極に保持された半導体ウエハにプラズマ処理を施す半導体製造装置であって、前記プラズマを発生させるプラズマ発生室と前記プラズマ中のラジカルを導入して前記半導体ウエハ上のレジストをアッシングするダウンフロー室とを分離するスリット板がシリコンで形成されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/56 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46