特許

J-GLOBAL ID：200903067417870698

(Ba,Sr)TiO3誘電体薄膜形成用組成物及び(Ba,Sr)TiO3薄膜の形成方法

発明者： 遠藤 恵子 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314100
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157008
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 電子デバイスにおける様々な用途のキャパシタ材料に有効な、高誘電率、高絶縁性の(Ba,Sr)TiO3 誘電体薄膜を形成する。【解決手段】 モル比でBa:Sr:Ti=(1-x):x:y(ただし、0≦x≦1.0,0.9≦y≦1.1)の組成を有する主成分と、該主成分に対してSiとして0.5〜10モル%のSi成分とを含む(Ba,Sr)TiO3 誘電体薄膜形成用組成物。この組成物をスピンコート法により基板に塗布した後乾燥し、次いで450〜800°Cで焼成する。【効果】 組成制御が容易に行えるようになり、低コストなゾルゲル法により、高誘電率で絶縁性の高い(Ba,Sr)TiO3 誘電体薄膜を形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

モル比でBa:Sr:Ti=(1-x):x:y(ただし、0≦x≦1.0,0.9≦y≦1.1)の組成を有する主成分と、該主成分に対してSiとして0.5〜10モル%のSi成分とを含むことを特徴とする(Ba,Sr)TiO3 誘電体薄膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C04B 35/46 ,  C01G 23/00 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397

FI (5件)：

C04B 35/46 C ,  C01G 23/00 C ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/06 102