特許

J-GLOBAL ID：200903067423132623

半導体装置

発明者： 菅原 裕彦 ,  中島 長明 ,  永田 公一
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067772
出願日： 1991年09月09日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 多層電極それ自体、及び上層の金系配線からの金の侵入を阻止し、高性能かつ高信頼性を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 電極・配線の少なくとも一部に白金及び金を用いる化合物半導体上に形成する半導体装置のうちで、白金電極上に、高融点金属またはその化合物層を、直接または金以外の金属中間層を介して積層した多層構造を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体上に形成された半導体装置であって、その電極・配線の少なくとも一部に白金及び金を用いる半導体装置において、白金の電極・配線上に、高融点金属またはその化合物層を、直接または金以外の金属中間層を介して積層した多層構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/46 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭54-107670
  
• 特公昭62-022271
  
• 特開昭59-232422
  
• 特開昭62-259474
  
• 特開平1-198079