特許

J-GLOBAL ID：200903067428202883

圧電性半導体及びその製造方法

発明者： 浅井 裕次 ,  今井 修
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 一平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070416
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279192
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【目的】 音響電気効果素子として用いるに適当な電気伝導度等の特性を有する圧電性半導体及びその製造方法を提供する。【構成】 ZnO単結晶を主成分とする単結晶から構成される圧電性半導体である。10-6〜10-111/Ω・cmの電気伝導度を有する。アンモニウムイオンを含有するアルカリ溶媒を用いて、ZnO単結晶を育成する。

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛(ZnO)を主成分とする単結晶から成る圧電性半導体であって、10-6〜10-111/Ω・cm(但し、10-61/Ω・cmを除く。)の電気伝導度を有することを特徴とする圧電性半導体。

IPC (3件)：

C30B 29/16 ,  C30B 7/10 ,  H01L 41/18