特許

J-GLOBAL ID：200903067428374617

半導体装置及びその製造方法

発明者： 横山 雄二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299183
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110945
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 集積度が高く、低価格で高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子を有する半導体基板と、その上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜を貫通し、層間絶縁膜の上面から突出するプラグと、層間絶縁膜上に形成され、プラグを囲み、プラグの上面とほぼ面一の部分を有し、層間絶縁膜とは異なるエッチング特性を有するエッチングストッパ層と、プラグ上及びエッチングストッパ層の一部上に形成される上部導電体とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通し、該層間絶縁膜の上面から突出するプラグと、前記層間絶縁膜上に形成され、前記プラグを囲み、前記プラグの上面とほぼ面一の部分を有し、前記層間絶縁膜とは異なるエッチング特性を有するエッチングストッパ層と、前記プラグ上及び前記エッチングストッパ層の一部上に形成される上部導電体とを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 27/10 621 C ,  H01L 21/90 A

Fターム (49件)：

5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033VV16 ,  5F033XX15 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA32 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR38 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40