特許
J-GLOBAL ID：200903067430618310
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079046
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268259
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 p型結晶とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導体の構造を提供することによりVfを低下させ、発光効率を向上させるとともに、新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、発光素子の発光出力を向上させる。【構成】 p-n接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Mgがドープされたp型GaNコンタクト層を具備する。
請求項（抜粋）：
p-n接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Mgがドープされたp型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(但し、Xは0<X<0.5)クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Mgがドープされたp型GaNコンタクト層を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
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