特許

J-GLOBAL ID：200903067431826472

過電流保護用正特性サーミスタ

発明者： 槙島 正夫 ,  飯島 春幸
出願人/特許権者： ニチアス株式会社
代理人 (1件)： 清水 敬一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-255790
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106803
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 正特性サーミスタ素子の温度上昇に起因して電流が減衰する応答時間を容易に調整できる過電流保護用正特性サーミスタを提供する。【解決手段】 本発明による過電流保護用正特性サーミスタ(10)は、一対の電極(5)を有する正特性サーミスタ素子(1)と、正特性サーミスタ素子(1)の電極(5)に電気的に接続された外部リード(2)と、正特性サーミスタ素子(1)を包囲する絶縁性外囲体(3)とを備え、正特性サーミスタ素子(1)の温度上昇に起因して減衰する電流の応答時間に対応する熱容量を有する導電性の蓄熱体(4)が電極(5)に固着される。

請求項（抜粋）：

一対の電極を有する正特性サーミスタ素子と、正特性サーミスタ素子の電極に電気的に接続された外部リードと、正特性サーミスタ素子を包囲する絶縁性外囲体とを備えた過電流保護用正特性サーミスタにおいて、正特性サーミスタ素子の温度上昇に起因して減衰する電流の応答時間に対応する熱容量を有する導電性の蓄熱体を電極に固着したことを特徴とする過電流保護用正特性サーミスタ。