特許

J-GLOBAL ID：200903067438398670

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

発明者： 山田 元量 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-279546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169715
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーをチップ状に切断するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズに切断する方法を提供する。【構成】 予めサファイア基板1に第一の割り溝11で傷を付け、その傷部分に結晶性の悪い窒化ガリウム系化合物半導体2’を成長させた後、結晶性の異なる窒化ガリウム系化合物半導体層2’を第二の割り溝22で除去するか、または結晶性の異なる窒化ガリウム系化合物半導体2’部分に向かって、ウエハーが割れるように、新たな第二の割り溝22をサファイア基板1側に設けて切断する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板面に所望のチップ形状で第一の割り溝を形成する工程と、前記第一の割り溝が形成されたサファイア基板面に窒化ガリウム系化合物半導体を積層して窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーを作成する工程と、前記ウエハーのサファイア基板側、または窒化ガリウム系化合物半導体層側に、前記第一の割り溝が形成された位置と合致する位置で、新たに第二の割り溝を形成する工程と前記第一の割り溝、および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 Q