特許
J-GLOBAL ID：200903067442573975
多波長発光半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109156
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288549
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 一つの光取出し口から複数の異なる色(多波長)の光を得ることのできる多波長発光半導体素子を提供する。【構成】 GaAs基板1上に,GaInP活性層3,AlGaInP上部クラッド層4およびAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(x<0.3 )発光層6を順次エピタキシャル成長させる。発光層6のエネルギ・バンド・ギャップは活性層3のエネルギ・バンド・ギャップよりも小さい。電極11と12との間に電流を流すと,活性層3からそのエネルギ・バンド・ギャップに応じた波長の光が発生する。この光の一部は上部クラッド層4,発光層6を通り,光取出し口10から外に出射する。活性層3で発生した光が発光層6を通ることによって,発光層6が光励起され,この発光層6からそのエネルギ・バンド・ギャップに応じた波長をもつ光が発生し,この光もまた光取出し口10から外部に出射する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に活性層を形成し,両面に設けた電極に電流を流すことにより活性層を励起する半導体発光素子において,一面に設けられた光取出し口と活性層との間に,活性層よりも小さいエネルギ・バンド・ギャップを有し,活性層で発生し光取出し口に向う光によって励起されて自然放出光を発生する発光層が設けられていることを特徴とする多波長発光半導体素子。
引用特許：
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