特許
J-GLOBAL ID：200903067445670769
基板上に黄銅鉱半導体を迅速に作成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-507656
公開番号（公開出願番号）：特表平8-501189
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】黄銅鉱の形式ABC2多結晶単相化合物半導体の作成のために、基板に、成分を元素として、元素間化合物としてまたは合金として含んでいる、複数の層を有する多層構造を析出することが提案され、その際成分Cは化学量論に過剰にある。少なくとも毎秒10 ゚Cの加熱レートで少なくとも350 ゚Cのプロセス温度への迅速な熱処理プロセスにおいて、この多層構造は数秒後に既に化合物半導体ABC2へ移行し、その際層構造体のカプセル化によってガス交換が制限され、その結果最も迅速な成分の蒸発が妨げられる。この半導体から、高い効率の太陽電池が製造される。
請求項（抜粋）：
Aは銅または銀であり、Bはインジウム、ガリウムまたはアルミニウムでありかつCは硫黄またはセレンである、形式ABC2の黄銅鉱半導体の作成方法であって、基板上に次のステップを実施し、成分A,BおよびCを元素の形または2元元素間化合物B2C3として被着することによって基板(S)上に多層構造(SA)を生成し、前記多層構造(SA)を有する前記基板(S)を所定の加熱レート(AR)でプロセス温度(Tp)に迅速に加熱し、前記基板を、時間間隔dtの間、前記温度Tpに保持し、ただし前記多層構造(SA)は成分Cを化学量論に過剰に含んでおり、前記加熱レート(AR)は少なくとも10 ゚/sであり、前記プロセス温度Tpは350 ゚Cより大きいかまたはそれに等しく、前記時間間隔dtは10sないし1hでありかつアニールないし熱処理期間全体の間、成分Cの、平衡圧力より上にある分圧が維持されるようにすることを特徴とする黄銅鉱半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/203
, H01L 21/324
