特許
J-GLOBAL ID：200903067447088471
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192639
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024271
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 ストライプ構造を有する半導体発光装置において、高出力を得、かつ信頼性を向上させる【解決手段】 光取り出し用の窓7を備えたパッケージ8に、半導体レーザ素子1をサーミスタを備えたヒートシンク2にハンダ付けし、ヒートシンク2を熱電素子3にハンダ6によりハンダ付けする。半導体レーザ素子1は、n-GaAs基板21上に、クラッド層22、光ガイド層23、InGaAsP引っ張り歪み障壁層24、InGaAsP量子井戸活性層25、InGaAsP引っ張り歪み障壁層26、光ガイド層27、クラッド層28、キャップ層29が順次積層されてなり、障壁層とGaAs基板の格子不整合度を-0.7%とし、活性層を挟んでいる2つの引っ張り歪み障壁層24、26と2つの光ガイド層23、27の合計の厚さを0.7μmとし、光出射端面に20%、反対側端面に90%の反射膜を形成する。
請求項（抜粋）：
光を取り出すための窓を備えた密閉容器内に熱電素子がハンダ付けされており、該熱電素子上にサーミスタを備えたヒートシンクがハンダ付けされており、該ヒートシンクに、発光領域を構成するために、少なくとも第1導電型GaAs基板上に、第1導電型AlGaAsクラッド層、第1導電型光ガイド層、障壁層、InGaAsPからなる量子井戸活性層、障壁層、第2導電型光ガイド層、第2導電型AlGaAsクラッド層がこの順に積層された半導体層からなり、前記発光領域の幅が100μm以上300μm以下であるストライプ構造を備えており、前記活性層の幅方向に屈折率差を設けた屈折率導波機構を備えており、前記2つの光ガイド層と前記2つの障壁層の膜厚の合計が0.5μm以上1.2μm以下であり、前記半導体層の光出射端面の反射率が10%以上30%以下であり、該光出射端面と反対側の端面の反射率が90%以上である半導体レーザ素子が、ハンダ付けされてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18 614
, H01S 3/18 662
5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073BA07
, 5F073BA09
, 5F073CA13
, 5F073CB23
, 5F073EA28
, 5F073FA25
, 5F073GA14
