特許

J-GLOBAL ID：200903067450728961

半導体装置及びその製造方法

発明者： 井澤 暢 ,  高木 良樹 ,  加藤 善久 ,  小槻 真次
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東洋発條工業株式会社 ,  シーマ電子株式会社
代理人 (1件)： 生田 哲郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123042
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303340
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】コンパクトで高性能の半導体装置を低コストで製造し、使用時に於いて発生する熱に基づく応力を緩和するとともに放熱特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】回路基板上に搭載された半導体基板と外装キャップとの間に良熱伝導性の弾性体を装着した半導体装置である。良熱伝導性の弾性体として、微細な金属の充填剤を含む樹脂製接着シート、又は金属からなるばね若しくはネットを使用することができる。金属板の一部を切り曲げ、ダボ出しによって又は断面形状が逆L字状、Z字状若しくはコの字状の金属帯片を接合することによって設けた突起体を有する金属板を使用することができる。

請求項（抜粋）：

回路基板上に搭載された半導体基板と外装キャップとの間に良熱伝導性の弾性体を介在させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/28 ,  C09J 7/02 ,  C09J 11/04 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/36

FI (5件)：

H01L 23/28 Z ,  C09J 7/02 Z ,  C09J 11/04 ,  H01L 23/30 R ,  H01L 23/36 D