特許

J-GLOBAL ID：200903067451823178

縦形気相エピタキシャル成長装置

発明者： 皆川 俊一 ,  目黒 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160608
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022318
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】基板両端の原料ガスの流速を下げることにより、速くなる傾向にある基板両端における成長速度を抑え、膜厚の面内均一性を向上させる。【構成】半導体基板2は反応管1内のサセプタ5にセットされ、高周波誘導コイル6で加熱される。原料ガス導入口3から原料ガスが、半導体基板2の表面に垂直方向に供給される。原料ガスは矢印の方向に沿って流れ、半導体基板2の表面で化学反応を生じて半導体薄膜を形成する。反応管1の内壁に原料ガスの流路を広げて原料ガスの流れを減速させるテーパ面10を付けてある。原料ガスは矢印方向に沿って半導体基板2の表面を中心から基板両端に向かって流れるが、反応管1の内壁にあるテーパ面10によって基板両端で広がり、その部分での流速を低減する。これにより、中心部と両端部での成長速度差を小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

反応管内に水平に置かれた半導体基板の表面に垂直方向から原料ガスを供給し、基板表面に沿わせつつ基板端部に向って流すことにより、半導体基板表面に単結晶を成長させる縦形気相エピタキシャル成長装置において、上記反応管に半導体基板端部を流れる原料ガスの流路を広げて原料ガスの流れを減速させる流路拡大部を設けたことを特徴とする縦形気相エピタキシャル成長装置。