特許

J-GLOBAL ID：200903067457708664

半導体素子の突起電極形成方法とその接続方法

発明者： 村越 孝一 ,  金沢 淳一 ,  池端 昌夫 ,  金森 孝史
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-283378
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062981
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 電気メッキ浴中に金属を被覆した柔軟なボールを懸濁させ、メッキ金属とそのボールを共析させて突起電極を形成し、それを基板側の電極パッドと接続することにより、ボールの柔軟性により大きな加圧によっても接続ダメージを小さくする。【構成】 半導体素子1の電極部に電気メッキ浴中に電極を被覆した柔軟なボール7を懸濁させ、メッキ金属8とそのボールを共析させて一層の柔軟なボールが並んだ突起電極9を形成し、該突起電極9をフェースダウンした後、基板20の所定の電極パッド21と位置合わせを行い、圧接しながら、前記突起電極9を弾性変形させ、接着樹脂22により固定する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体素子の電極に少なくとも密着の確保と金属拡散防止のための第1の金属膜と、後工程の電気めっきの密着性の向上及び化学的に安定させるための第2の金属膜とを形成し、(b)該第2の金属膜上に電気めっき浴中に金属を被覆した柔軟なボールを懸濁させ、めっき金属とそのボールを共析させて一層の柔軟なボールが並んだ突起電極を形成することを特徴とする半導体素子の突起電極形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/321 ,  C23C 18/31 ,  C25D 5/02 ,  C25D 15/02 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 F