特許

J-GLOBAL ID：200903067459059973

半導体の歪量を測定する装置及び方法、半導体の歪量分布を測定する装置及び方法、並びに半導体製造装置及び方法

発明者： 梅野 正隆 ,  志村 考功 ,  亀井 聡
出願人/特許権者： 財団法人大阪産業振興機構
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260115
公開番号（公開出願番号）：特開2004-101235
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】従来技術に比較して簡単な方法で、しかも半導体薄膜の成長形成時にリアルタイムで、半導体薄膜の歪量及び膜厚方向の歪量分布を測定する。【解決手段】半導体薄膜の測定対象物に対して光信号を照射したときのエリプソメトリ測定装置により検出された光信号を光電変換した電気信号に基づいて、パーソナルコンピュータ20は、偏光パラメータΔ及びΨを計算し、計算された偏光パラメータΔ及びΨに基づいて、測定対象物の屈折率を計算し、計算された屈折率に基づいて、予め測定された、半導体の屈折率と格子不整合による歪量との関係を用いて、半導体薄膜の歪量を測定する。また、計算された偏光パラメータΔ及びΨに基づいて、半導体薄膜の膜厚と屈折率を計算し、計算された膜厚と屈折率に基づいて、予め測定された、半導体の屈折率と格子不整合による歪量との関係を用いて、半導体薄膜の膜厚方向の歪量分布を測定する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

エリプソメトリ測定装置と、 半導体又は化合物半導体の測定対象物に対して光信号を照射したときの上記エリプソメトリ測定装置により検出された光信号を光電変換した電気信号に基づいて、偏光パラメータΔ及びΨを計算し、上記計算された偏光パラメータΔ及びΨに基づいて、上記測定対象物の屈折率を計算し、上記計算された屈折率に基づいて、予め測定された、半導体又は化合物半導体の組成物の屈折率と格子不整合による歪量との関係を用いて、上記測定対象物の歪量を測定する制御手段とを備えたことを特徴とする半導体の歪量を測定する装置。

IPC (6件)：

G01N21/88 ,  G01B11/16 ,  G01J4/04 ,  G01N21/21 ,  H01L21/205 ,  H01L21/66

FI (6件)：

G01N21/88 H ,  G01B11/16 Z ,  G01J4/04 A ,  G01N21/21 Z ,  H01L21/205 ,  H01L21/66 N

Fターム (63件)：

2F065AA65 ,  2F065CC17 ,  2F065CC31 ,  2F065FF00 ,  2F065FF49 ,  2F065FF65 ,  2F065GG06 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065LL33 ,  2F065LL36 ,  2F065QQ03 ,  2G001AA01 ,  2G001AA07 ,  2G001BA15 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001CA07 ,  2G001GA01 ,  2G001GA13 ,  2G001KA08 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001RA08 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB20 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB07 ,  2G051CA01 ,  2G051CB01 ,  2G051CC07 ,  2G051EA14 ,  2G059AA02 ,  2G059BB08 ,  2G059BB16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059KK01 ,  2G059MM10 ,  2G059PP04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA06 ,  4M106CA17 ,  4M106CA47 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ32 ,  5F045AB01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045DA64 ,  5F045GB10 ,  5F045GB17