特許
J-GLOBAL ID：200903067463890130
半導体圧力センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140640
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 ウェーハサイズを大口径化してもウェーハ当たりのチップ数を増大させることができとともに、センサの感度を向上させ得る。【構成】 まず、ウェーハ10表面に酸化膜(SiO2)12を形成・加工し、拡散層14を形成し、アルミニウムAl層16を蒸着・加工する。次いで、前記加工の終了したウェーハ10の裏面を研磨・除去してウェーハ10を薄くする。次いで、薄くなったウェーハ10の裏面にクロムCr層18Cr及び金Au層18Auを成膜し、これにウェーハエッチングのマスクパターンをエッチングする。次いで、主にこの金Au層18Auをマスクとしてウェーハ10裏面に対してKOH溶液で異方性エッチングを行い、ダイアフラム10aを形成する。次いで、前記のクロムCr層18Cr及び金Au層18Auの膜を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体圧力センサのチップウェーハを製造するに際し、ウェーハ表面の加工終了後に該ウェーハが所望の厚さになるように、ウェーハの裏面を除去する工程と、除去されたウェーハ裏面に、ウェーハエッチングに耐性がある金属膜層を成膜する工程と、成膜金属膜層にウェーハエッチングのマスクパターンを形成する工程とを含み、このマスクパターンの形成された金属膜層をウェーハエッチングのマスクとすることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 21/308
